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期中公式速解 · 卷内公式与必备补充

期中目录 · 真题解答 · 知识精要

按计算题中选定律、建方程、求结果的通用性由高到低排列。卷内为图片中的 31 条关系;补充为未印出的常用公式。\(q\) 带正负号;\(e>0\),电子电荷为 \(-e\)。未注明介质时使用真空参数。

原卷印错:磁能密度应为 \(u_B=B^2/(2\mu_0)\),不是 \(\mu_0B^2/2\)。

1. 电场、电势与电荷积分

来源 公式 含义、条件与符号
卷内 \(\mathbf E=\dfrac{q}{4\pi\epsilon_0r^2}\hat{\mathbf r}\) 静止点电荷的电场;\(r\) 从源电荷量到场点,\(\hat{\mathbf r}\) 沿此方向。\(\epsilon_0\) 为真空介电常数;\(q<0\) 时场反向。
卷内 \(\epsilon_0\oint_S\mathbf E\cdot d\mathbf A=q_{\rm enc}\) 高斯定律:闭面向外电通量由面内净电荷决定;只有足够对称时才能把 \(E\) 提到积分外。\(q_{\rm enc}=0\) 不代表 \(\mathbf E=0\)。
卷内 \(V_f-V_i=-\int_i^f\mathbf E\cdot d\boldsymbol\ell\) 静电场中沿 \(i\to f\) 积分求电势差;顺电场方向电势降低。\(V\) 单位 V,\(E\) 单位 V/m。
卷内 \(\mathbf E=-\nabla V\) 电势求电场;例如 \(E_x=-\partial V/\partial x\)。时变磁场产生的电场不能只用此式描述。
卷内 \(\nabla\cdot\mathbf E=\rho_q/\epsilon_0\) 高斯定律的局部形式;\(\rho_q\) 是体电荷密度,单位 C/m³,含自由与束缚电荷,不是电阻率。
补充 \(dq=\lambda\,dl,\quad dq=\sigma_s\,dA,\quad dq=\rho_q\,d\mathcal V\) 线、面、体电荷微元;\(\lambda,\sigma_s,\rho_q\) 分别为每米、每平方米、每立方米的电荷。\(d\mathcal V\) 表示体积微元。
补充 \(k_e=1/(4\pi\epsilon_0),\quad V=k_e\int dq/r,\quad \mathbf E=k_e\int\hat{\mathbf r}\,dq/r^2\) 连续源叠加:电势按标量相加,电场按矢量相加;\(r\) 随源点变化。电势式取无穷远为零,要求积分收敛。
补充 \(\Delta U=q\Delta V,\quad W_E=-q\Delta V\) 电势能变化与电场做功;缓慢移动、动能不变时,外力做功 \(W_{\rm ext}=\Delta U\);保守力满足 \(\mathbf F=-\nabla U\)。
补充 \(\nabla\times\mathbf E=0,\quad \nabla^2V=-\rho_q/\epsilon_0\) 静电场无环流;后一式由 \(\mathbf E=-\nabla V\) 和高斯定律合成。无电荷区为 \(\nabla^2V=0\)。

常用几何结果 · 均为补充

源或积分微元 结果与适用范围
球面与球层 \(A=4\pi r^2\);纬度条带 \(dA=2\pi R^2\sin\theta\,d\theta\);球体薄层 \(d\mathcal V=4\pi r^2dr\)。\(\theta\) 从极轴量起。
均匀球壳;无外部源的孤立导体球 半径 \(R\)、总电荷 \(Q\):内部 \(E=0,V=k_eQ/R\);外部 \(E_r=k_eQ/r^2,V=k_eQ/r\)。
均匀体带电绝缘球 \(r<R\) 时 \(E_r=k_eQr/R^3\);外部仍为点电荷结果。不能套用球壳的内部零场。
无限长线电荷 \(E_r=\lambda/(2\pi\epsilon_0r)\);\(r\) 为到轴距离。电势只能选有限参考半径:\(\Delta V=-\lambda\ln(r_2/r_1)/(2\pi\epsilon_0)\)。
无限大均匀面电荷 两侧场大小各为 \(\lvert\sigma_s\rvert/(2\epsilon_0)\)。两张等量异号平行面之间为 \(\lvert\sigma_s\rvert/\epsilon_0\),外侧抵消。
均匀圆环轴线 \(V=k_eQ/\sqrt{R^2+z^2}\);\(E_z=k_eQz/(R^2+z^2)^{3/2}\)。\(R\) 为环半径,\(z\) 从环心沿轴量起。
均匀圆盘轴线 圆环微元 \(dq=\sigma_s2\pi s\,ds\);\(z>0\) 时 \(E_z=\dfrac{\sigma_s}{2\epsilon_0}\left(1-\dfrac z{\sqrt{z^2+R^2}}\right)\)。\(s\) 是积分环半径,\(R\) 是圆盘外半径。

2. 导体、电容、电阻与放电

来源 公式 含义、条件与符号
补充 \(\mathbf E_{\rm metal}=0,\quad V_{\rm metal}=V_c\) 静电平衡时金属内部无场、连通导体等势。孤立导体固定总电荷;接地导体固定 \(V_c=0\)、允许交换电荷。载流或运动导体不直接套此条件。
补充 \(E_{\rm out,n}=\sigma_s/\epsilon_0\) 导体表面外侧的法向场,法向由金属朝外,外部为真空;表面切向场为零。
补充 \(q'=-qR/d,\quad a=R^2/d\) 接地球半径 \(R\),外部点电荷 \(q\) 距球心 \(d>R\):镜像 \(q'\) 放在球心朝向 \(q\) 的距离 \(a\) 处。只代表球外区域;球面总感应电荷等于 \(q'\)。
补充 \(C=Q/\Delta V,\quad C_{\rm plate}=\epsilon A/d,\quad C_{\rm sphere}=4\pi\epsilon ab/(b-a)\) \(C\) 为电容,单位 F;\(Q\) 为正极板电荷大小。平行板忽略边缘;同心球形电容内、外半径为 \(a<b\)。\(\epsilon=\epsilon_0\epsilon_r\)。
补充 \(C_{\rm isolated\ sphere}=4\pi\epsilon R\) 无外部源、半径 \(R\) 的孤立导体球相对于无穷远的电容;不同于两个球面组成的电容器。
卷内 \(\rho_{\rm res}=1/\sigma=m_e/(ne^2\tau_{\rm coll})\) 电阻率,单位 Ω·m;\(\sigma\) 是电导率,单位 S/m。Drude 模型中 \(n\) 为电子数密度,\(m_e\) 为电子质量,\(\tau_{\rm coll}\) 为平均散射间隔。
卷内 \(\mathbf E=\rho_{\rm res}\mathbf J\) 静止、线性、各向同性欧姆材料的局部关系;等价于 \(\mathbf J=\sigma\mathbf E\)。\(\mathbf J\) 为电流密度,单位 A/m²。
补充 \(\mathbf J=nq_c\mathbf v_d,\quad I=\int\mathbf J\cdot d\mathbf A\) \(q_c\) 是单个载流子的带符号电荷,\(\mathbf v_d\) 为平均漂移速度。均匀垂直截面上 \(I=JA\);电子漂移与正电流反向。
补充 \(\mathbf v_d=-e\tau_{\rm coll}\mathbf E/m_e,\quad\partial_t\rho_q+\nabla\cdot\mathbf J=0\) 前者为稳态自由电子 Drude 漂移;后者为局部电荷守恒:电流净流出使当地电荷减少。
补充 \(R=\rho_{\rm res}l/A,\quad dR=dr/[\sigma A(r)]\) 第一式用于均匀等截面导线;变截面沿电流方向积 \(R=\int dR\)。球形径向导电用 \(A(r)=4\pi r^2\),不能用固定截面积。
卷内 \(\mathcal E=dW/dq\) 电动势:电源等非静电作用每单位电荷提供的能量,单位 V;不是“力”,也不必等于电源端电压。
补充 \(\Delta V=IR,\quad \sum I_{\rm in}=\sum I_{\rm out},\quad \sum\Delta V_{\rm loop}=0\) 欧姆定律、节点与集中参数回路方程;若有外加感应电动势,须作为回路电源项计入。电阻串联相加、并联加倒数;电容相反。
卷内 \(P=I^2R\) 电阻焦耳热功率,单位 W;也可用 \(P=I\Delta V=(\Delta V)^2/R\)。这里的 \(I\) 必须是流过该电阻的电流。
卷内 \(U_C=Q^2/(2C)\) 线性电容储能,单位 J;等价于 \(U_C=C(\Delta V)^2/2=Q\Delta V/2\)。
卷内 \(u_E=\epsilon_0E^2/2\) 真空电场能密度,单位 J/m³;总能量 \(U_E=\int u_E\,d\mathcal V\)。线性、无色散介质改用 \(\epsilon E^2/2\)。
补充 \(I_C=dQ/dt=C\,dV_C/dt,\quad V_C(0^+)=V_C(0^-)\) 电流正方向取流入正极板;有限电流下电容电压不能突变。若定义放电流向外,则 \(I_{\rm out}=-dQ/dt\)。
补充 \(X(t)=X_\infty+(X_0-X_\infty)e^{-t/\tau_{RC}},\quad\tau_{RC}=R_{\rm eq}C\) 一阶 RC 响应;\(X\) 可取电容电压或电荷。\(R_{\rm eq}\) 是电容两端看到的等效电阻:独立电压源短路、独立电流源开路。
补充 \(Q=Q_0e^{-t/(RC)},\quad RC=\epsilon/\sigma\) 后一个等式用于均匀介质同时承担漏电与储能的理想电容。能量、功率按 \(e^{-2t/(RC)}\) 衰减。
卷内 \(R_H=E_H/(BJ)=1/(nq_c)\) 单载流子 Hall 系数;取 \(\mathbf J\parallel+x,\mathbf B\parallel+z\),\(E_H=E_y\)。符号反映载流子正负;稳态横向平衡为 \(\mathbf E_H+\mathbf v_d\times\mathbf B=0\)。矩形样品沿磁场方向厚度为 \(t\) 时,Hall 电压大小为 \(\lvert V_H\rvert=\lvert IB/(nq_ct)\rvert\)。

3. 磁力、运动与电流产生的磁场

来源 公式 含义、条件与符号
卷内 \(\mathbf F=q\mathbf E+q\mathbf v\times\mathbf B\) Lorentz 力;先对正电荷判断叉乘,再乘带符号的 \(q\)。磁力垂直速度,不做功;电场功率为 \(q\mathbf E\cdot\mathbf v\)。
卷内 \(\mathbf F_B=I\mathbf L\times\mathbf B\) 匀强磁场内直导线受力;\(\mathbf L\) 沿正电流、长度等于导线段长度。一般用 \(d\mathbf F=I\,d\boldsymbol\ell\times\mathbf B\) 再积分。
补充 \(r_L=mv_\perp/(\lvert q\rvert B),\quad\omega_c=\lvert q\rvert B/m\) 非相对论粒子在匀强磁场中的回旋半径、角频率。\(v_\parallel\) 不产生磁力,沿场匀速;螺距为 \(v_\parallel T\)。
卷内 \(\omega=2\pi/T\) 角频率,单位 rad/s;\(T\) 为周期,\(f=1/T\) 为频率,单位 Hz。刚体转动的线速度为 \(v=\omega r_\perp\)。
补充 \(\mathbf v_D=\mathbf E\times\mathbf B/B^2\) 匀强、相互垂直的交叉场中的平均漂移速度;不是粒子的瞬时速度,与电荷正负无关。无受力直线运动还允许任意沿 \(\mathbf B\) 的恒定速度分量。
卷内 \(d\mathbf B=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\dfrac{I\,d\boldsymbol\ell\times\hat{\mathbf r}}{r^2}\) Biot–Savart 定律;稳恒电流产生磁场,\(\hat{\mathbf r}\) 从电流元指向场点。先找对称性,再积分未抵消的分量。
卷内 \(\oint\mathbf B\cdot d\boldsymbol\ell=\mu_0I_{\rm enc}\) 静磁 Ampère 定律;正绕行与穿面正电流按右手定则配对。只在足够对称时直接提出 \(B\);变化电通量时须加位移电流项。
卷内 \(\oint_S\mathbf B\cdot d\mathbf A=0\) 任意闭面净磁通为零;穿入与穿出抵消,不代表面上处处 \(B=0\)。
卷内 \(\nabla\cdot\mathbf B=0\) 上式的局部形式:磁场无净磁单极源。
卷内 \(\boldsymbol\mu=NI\mathbf A\) 线圈磁矩,单位 A·m²;\(\mathbf A=A\hat{\mathbf n}\),法向由电流右手定则确定,\(N\) 为匝数。分布电流分成小环,用 \(d\mu=A_{\rm ring}\,dI\)。
卷内 \(\boldsymbol\tau_B=\boldsymbol\mu\times\mathbf B\) 外磁场对磁偶极子的力矩,单位 N·m;不是粒子的平移受力。\(\tau_B=\mu B\sin\theta\),\(\theta\) 为磁矩与场的夹角。

常用磁场与环积分 · 均为补充

情形 公式与条件
无限长直导线 \(B=\mu_0I/(2\pi r)\);\(r\) 为到导线的距离,方向绕线。
圆线圈轴线 \(B_z=\mu_0NIR^2/[2(R^2+z^2)^{3/2}]\);环心 \(z=0\),才可化为 \(\mu_0NI/(2R)\)。
长螺线管;理想环形线圈 内部 \(B\simeq\mu_0n_tI\);环形线圈内部 \(B=\mu_0NI/(2\pi r)\)。\(n_t=N/l\) 为每米匝数,不是载流子密度。
旋转电荷环 \(dI=dq/T=\omega\,dq/(2\pi)\);先算电荷微元,再转成电流微元。磁矩乘环围成的平面面积,不乘球面条带面积。

4. 感应、电感与能量转化

来源 公式 含义、条件与符号
补充 \(\Phi_B=\int_S\mathbf B\cdot d\mathbf A\) 磁通,单位 Wb;均匀场和平面用 \(BA\cos\theta\),\(\theta\) 是场与面积法向的夹角。\(N\) 匝等效线圈的磁通链为 \(\Lambda=N\Phi_B\)。
卷内 \(\oint\mathbf E\cdot d\boldsymbol\ell=-\dfrac d{dt}\int_S\mathbf B\cdot d\mathbf A\) 固定回路的 Faraday 定律;变化磁通对应有环流的电场。正绕行与面积法向按右手配对,负号表示反对磁通变化。
补充 \(\mathcal E=\oint(\mathbf E+\mathbf u\times\mathbf B)\cdot d\boldsymbol\ell\) 运动回路中每单位电荷的驱动力积分,\(\mathbf u\) 是导体材料速度。单段运动导体取相应路径积分;不能只看圆盘自身磁通是否变化。
补充 \(\mathcal E_{\rm rod}=Blv,\quad\mathcal E_{\rm disk}=B\omega a^2/2\) 前者要求杆、速度、磁场互相垂直;后者为半径 \(a\) 的匀速圆盘、\(\mathbf B\parallel\boldsymbol\omega\),沿盘心到盘边积分 \(\int_0^aB\omega r\,dr\)。
卷内 \(L=N\Phi_B/I\) 自感,单位 H;自身电流产生的磁通链除以电流。几何固定、线性响应时 \(L\) 为常数。
补充 \(\mathcal E_L=-L\dot I,\quad V_L=L\dot I\) 前者是反对电流变化的自感电动势;后者按电流流入电压正端的被动约定定义端电压。有限电压下电感电流连续。
卷内 \(M=N_2\Phi_{21}/I_1\) 互感,单位 H;\(\Phi_{21}\) 为电流 \(I_1\) 在第 2 线圈每匝产生的磁通。绕向决定代数符号;感应电动势 \(\mathcal E_2=-M\dot I_1\)。
卷内 \(U_L=LI^2/2\) 线性电感储能。两个互感线圈为 \(U=\tfrac12L_1I_1^2+\tfrac12L_2I_2^2+MI_1I_2\),\(M\) 与电流正向必须一致。
卷内·更正 \(u_B=B^2/(2\mu_0)\) 真空磁能密度,单位 J/m³;线性、无色散磁介质为 \(B^2/(2\mu)\)。总能量须再对体积积分。
补充 \(L\dot I+RI=\mathcal E,\quad\tau_{RL}=L/R\) 串联 RL 一阶回路;恒定电源时 \(I_\infty=\mathcal E/R\),\(I=I_\infty+(I_0-I_\infty)e^{-t/\tau_{RL}}\)。
补充 \(\boldsymbol\tau=\int\mathbf r\times d\mathbf F,\quad\mathcal I\dot\omega=\tau_{\rm net},\quad P_{\rm mech}=\tau\omega\) 求转动力矩要乘力臂;\(\mathcal I\) 是转动惯量,不是电流。圆盘 \(\mathcal I=ma^2/2\);磁制动常先用 \(\tau_{\rm ext}\omega=I^2R\) 求维持匀速所需力矩。

5. LC、RLC 与交流

来源 公式 含义、条件与符号
卷内 \(\omega_0=1/\sqrt{LC}\) 理想 LC 固有角频率;由 \(L,C\) 决定,不由初始振幅决定。\(q=q_m\cos(\omega_0t+\phi_0)\),取电流流入所标极板时 \(I=\dot q\)。
补充 \(L\ddot q+R\dot q+q/C=\mathcal E(t)\) 串联 RLC 方程,取 \(I=\dot q\)。无源欠阻尼时 \(q\propto e^{-Rt/(2L)}\cos(\omega_dt+\phi)\),\(\omega_d=\sqrt{1/(LC)-(R/2L)^2}\)。
补充 \(R_c=2\sqrt{L/C}\) 无源串联 RLC 的临界电阻;\(0<R<R_c\) 衰减振荡,\(R=R_c\) 临界阻尼,\(R>R_c\) 无振荡。
补充 \(Z_R=R,\quad Z_L=j\omega L,\quad Z_C=1/(j\omega C)\) 复阻抗,单位 Ω,\(j^2=-1\);串联相加,并联加倒数。用于正弦稳态,不直接描述刚接通的瞬态。
补充 \(Z=R+jX,\quad X=\omega L-1/(\omega C),\quad I_m=V_m/\sqrt{R^2+X^2}\) 串联 RLC 电流峰值。\(X>0\) 感性、电流滞后;\(X<0\) 容性、电流超前。
补充 \(I(t)=I_m\cos(\omega t-\phi),\quad\tan\phi=X/R\) 电源取 \(V_m\cos\omega t\),\(R>0\)。共振时 \(X=0,\omega=\omega_0\),电流同相且幅度最大。
补充 \(I_{\rm rms}=I_m/\sqrt2,\quad\langle P\rangle=I_{\rm rms}^2R=I_m^2R/2\) 正弦交流的有效值与电阻平均功率;电压有效值同理。一般还可用 \(V_{\rm rms}I_{\rm rms}\cos\phi\)。
补充 \(\Delta\omega=R/L,\quad Q_{\rm qual}=\omega_0L/R\) 串联 RLC 电流共振的半功率带宽与品质因数;这里 \(Q_{\rm qual}\) 不是电荷。

6. Maxwell 方程与电磁波

来源 公式 含义、条件与符号
卷内 \(\nabla\times\mathbf E=-\partial\mathbf B/\partial t\) Faraday 定律的局部形式:变化磁场对应电场环流。右侧是局部偏导,不是粒子运动的导数。
卷内 \(\nabla\times\mathbf B=\mu_0\mathbf J+\mu_0\epsilon_0\partial\mathbf E/\partial t\) 真空形式的 Ampère–Maxwell 定律;\(\mathbf J\) 为总物质电流密度,后一项为电场变化的贡献。
补充 \(\oint\mathbf B\cdot d\boldsymbol\ell=\mu_0(I_{\rm enc}+\epsilon_0\,d\Phi_E/dt)\) 固定回路的积分形式。真空间隙中位移电流 \(I_d=\epsilon_0\,d\Phi_E/dt\);它不是电荷穿越真空的电流。
补充 \(c=1/\sqrt{\mu_0\epsilon_0},\quad c=f\lambda_{\rm wave},\quad k_{\rm wave}=2\pi/\lambda_{\rm wave}=\omega/c\) 真空波速、波长、波数;\(k_{\rm wave}\) 不是真空库仑常数 \(k_e\)。\(\cos(kx-\omega t)\) 向 \(+x\) 传播,正号则向 \(-x\)。
补充 \(\mathbf B=\hat{\mathbf k}\times\mathbf E/c,\quad B_m=E_m/c\) 单一真空平面行波;\(\hat{\mathbf k}\) 为传播方向。电、磁场同相且互相垂直,\(\mathbf E\times\mathbf B\) 指向传播方向。
补充 \(\mathbf S=\mathbf E\times\mathbf B/\mu_0,\quad\langle S\rangle=\epsilon_0cE_m^2/2\) Poynting 矢量是能流密度,单位 W/m²;后一式为正弦真空平面行波的平均强度,\(E_m\) 是峰值。
补充 \(\partial_t(u_E+u_B)+\nabla\cdot\mathbf S=-\mathbf J\cdot\mathbf E\) 真空形式的局部能量守恒;\(\mathbf J\cdot\mathbf E\) 是单位体积物质获得的电功率。平面行波中 \(u_E=u_B\)。
补充 \(p_{\rm abs}=\langle S\rangle/c,\quad p_{\rm refl}=2\langle S\rangle/c\) 正入射、完全吸收或理想镜面反射的平均辐射压;受光面积 \(A\) 上平均法向力 \(F=pA\)。

7. 偶极子与材料响应

来源 公式 含义、条件与符号
卷内 \(\mathbf p=q\mathbf d\) 电偶极矩,单位 C·m;两电荷为 \(\pm q\)、\(q>0\),\(\mathbf d\) 从负电荷指向正电荷。
卷内 \(\boldsymbol\tau_E=\mathbf p\times\mathbf E\) 外电场对电偶极子的力矩;均匀场中合力为零,但力矩可不为零。\(\tau_E=pE\sin\theta\)。
补充 \(U_p=-\mathbf p\cdot\mathbf E,\quad U_\mu=-\boldsymbol\mu\cdot\mathbf B\) 固定偶极矩在外场中的取向势能;顺场能量最低。
补充 \(V_p\simeq k_e\mathbf p\cdot\hat{\mathbf r}/r^2,\quad\mathbf E_p\simeq\dfrac{k_e}{r^3}[3(\mathbf p\cdot\hat{\mathbf r})\hat{\mathbf r}-\mathbf p]\) 点电偶极子的远场;真实双电荷需 \(r\gg d\),\(r\) 从偶极中心量起。
补充 \(\mathbf D=\epsilon_0\mathbf E+\mathbf P,\quad\oint\mathbf D\cdot d\mathbf A=Q_{\rm free,enc}\) \(\mathbf P\) 是单位体积电偶极矩,\(\mathbf D\) 的通量只数自由电荷;两者单位均为 C/m²。线性各向同性材料中 \(\mathbf D=\epsilon\mathbf E\)。
补充 \(\rho_b=-\nabla\cdot\mathbf P,\quad\sigma_b=\mathbf P\cdot\hat{\mathbf n}\) 极化产生的体、面束缚电荷密度;法向 \(\hat{\mathbf n}\) 朝介质外。\(\mathbf P=\epsilon_0(\epsilon_r-1)\mathbf E\) 另要求线性各向同性。
补充 \(\mathbf H=\mathbf B/\mu_0-\mathbf M,\quad\mathbf M=\chi_m\mathbf H,\quad\mu=\mu_0(1+\chi_m)\) \(\mathbf M\) 为单位体积磁矩,\(\mathbf H,\mathbf M\) 单位 A/m;后两式要求线性各向同性。\(\mathbf M\) 不是互感 \(M\)。
补充 \(M=n_a\mu_a\tanh[\mu_aB/(k_BT)]\simeq n_a\mu_a^2B/(k_BT)\) 课件独立两态磁矩模型;\(n_a\) 为原子数密度,\(\mu_a\) 为单个磁矩。近似要求 \(\mu_aB\ll k_BT\),\(T\) 必须用 K;固定弱场时温度加倍,\(M\) 减半。不能套用于完整铁磁磁滞回线。

8. 常数与单位

量 数值与识别
卷内:元电荷大小 \(e\) \(1.6\times10^{-19}\ \mathrm C\);电子带 \(-e\)。
卷内:电子质量 \(m_e\) \(0.91\times10^{-30}\ \mathrm{kg}=9.1\times10^{-31}\ \mathrm{kg}\)。
卷内:Boltzmann 常数 \(k_B\) \(1.38\times10^{-23}\ \mathrm{J/K}\);\(k_BT\) 是热运动能量尺度。
卷内:真空介电常数 \(\epsilon_0\) \(8.85\times10^{-12}\ \mathrm{F/m}\);等价于 \(\mathrm{C^2/(N\,m^2)}\)。
卷内:真空磁导率 \(\mu_0\) 按课内近似取 \(4\pi\times10^{-7}\ \mathrm{H/m}\);等价于 \(\mathrm{T\,m/A}\)。
补充:\(k_e,c\) \(k_e\approx8.99\times10^9\ \mathrm{N\,m^2/C^2}\);\(c\approx3.00\times10^8\ \mathrm{m/s}\)。
单位换算 \(1\ \mathrm V=1\ \mathrm{J/C}\);\(1\ \Omega=1\ \mathrm{V/A}\);\(1\ \mathrm{Wb}=1\ \mathrm{T\,m^2}\);\(1\ \mathrm H=1\ \mathrm{Wb/A}\)。